PJC7412_R1_00001
1个N沟道 耐压:30V 电流:500mA
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJC7412_R1_00001
- 商品编号
- C6147573
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 870pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 34pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CMPDM7002AHC是2N7002A增强型N沟道MOSFET的大电流版本，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。
商品特性
- 当VGS为4.5V、ID为500mA时,RDS(ON)小于1.2Ω
- 当VGS为2.5V、ID为200mA时,RDS(ON)小于1.6Ω
- 当VGS为1.8V、ID为100mA时,RDS(ON)小于2.3Ω
- 当VGS为1.5V、ID为10mA时,RDS(ON)小于2.3Ω(典型值)
- 先进的沟槽工艺技术
- 静电放电防护2KV人体模型
- 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
- 符合IEC61249标准的绿色模塑料(无卤素)
应用领域
- 负载/电源开关
- 电源转换电路
- 电池供电的便携式设备
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