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KF10N60F-U/PS
1个N沟道 耐压:600V 电流:10A
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- 描述
- N沟道,600V,10A,730mΩ@10V
- 品牌名称
- KEC
- 商品型号
- KF10N60F-U/PS
- 商品编号
- C69802
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 730mΩ@10V,5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 178W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF@25V |
商品概述
这款平面条形 MOSFET 具有更优的特性，如开关时间快、导通电阻低、栅极电荷低以及出色的雪崩特性。它主要适用于有源功率因数校正和开关模式电源。
商品特性
- 漏源极击穿电压（VDSS） = 600 V，漏极电流（ID） = 10 A
- 漏源导通电阻：RDS(ON)（最大值） = 0.73 Ω @ 栅源电压（VGS） = 10 V
- 栅极电荷（典型值）Qg(typ.) = 29.5 nC
应用领域
- 有源功率因数校正-开关模式电源
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