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MUN5235DW1T1G

环保标识
  • 耐压:50V 电流:100mA

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    该系列数字晶体管适用于替换单器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个单晶体管及两个电阻组成的单片偏置网络。串行基极电阻和基极电阻。该 BRT 无需这些独立组件,它们已集成到单个器件中。采用 BRT 既可以降低系统成本,又可以节省在板空间。

  • 品牌名称onsemi(安森美)
  • 商品型号

    MUN5235DW1T1G
  • 商品编号

    C69827
  • 商品封装

    SOT-363
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.011克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录数字晶体管
晶体管类型-
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)187mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)80@5.0mA,10V
属性参数值
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)800mV@5.0mA,10V
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)600mV@100uA,5V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)200mV
输入电阻2.2kΩ
电阻比率0.047
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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