MUN5235DW1T1G
耐压:50V 电流:100mA
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描述
该系列数字晶体管适用于替换单器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个单晶体管及两个电阻组成的单片偏置网络。串行基极电阻和基极电阻。该 BRT 无需这些独立组件,它们已集成到单个器件中。采用 BRT 既可以降低系统成本,又可以节省在板空间。
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
MUN5235DW1T1G商品编号
C69827商品封装
SOT-363包装方式
编带
商品毛重
0.011克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 数字晶体管 | |
晶体管类型 | - | |
集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
集电极电流(Ic) | 100mA | |
功率(Pd) | 187mW | |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 80@5.0mA,10V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 800mV@5.0mA,10V | |
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 600mV@100uA,5V | |
输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 200mV | |
输入电阻 | 2.2kΩ | |
电阻比率 | 0.047 | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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