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KF12N60F-U/PS
1个N沟道 耐压:600V 电流:12A
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- 描述
- N沟道,600V,12A,600mΩ@10V
- 品牌名称
- KEC
- 商品型号
- KF12N60F-U/PS
- 商品编号
- C69803
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 215W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款平面条形 MOSFET 具有更出色的特性,如开关时间快、导通电阻低、栅极电荷低以及优异的雪崩特性。它主要适用于有源功率因数校正和开关模式电源。
商品特性
- VDSS = 600 V,ID = 12 A
- 漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.6 Ω(最大值)@ VGS = 10 V
- Qg(典型值) = 36 nC
应用领域
-有源功率因数校正-开关模式电源