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BSC009NE2LSATMA1
1个N沟道 耐压:25V 电流:221A
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- 描述
- 特性：针对电子保险丝和或门应用进行优化。 在VDS = 4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 经过100%雪崩测试。 具有出色的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC009NE2LSATMA1
- 商品编号
- C6132408
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 221A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.9mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 96W；2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 126nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.714nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.7nF@V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
Power MOS 8TM 是一款高速、高压 N 沟道开关模式功率 MOSFET。此“FREDFET”版本的漏源（体）二极管经过优化，通过降低反向恢复时间（trr）、实现软恢复以及具备高恢复 dv/dt 能力，可在零电压开关（ZVS）移相桥和其他电路中实现高可靠性。低栅极电荷、高增益以及大幅降低的 Crss / Ciss 比值，使其具备出色的抗噪能力和低开关损耗。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制 di/dt，即使在极高频率下进行开关操作，也能实现低电磁干扰（EMI）和可靠的并联。
商品特性
- 快速开关，低 EMI
- 低 trr，高可靠性
- 超低 Crss，提升抗噪能力
- 低栅极电荷
- 有雪崩能量额定值
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- ZVS 移相及其他全桥电路
- 半桥电路
- 功率因数校正（PFC）及其他升压转换器
- 降压转换器
- 单开关和双开关正激电路
- 反激电路