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BSZ036NE2LSATMA1
1个N沟道 耐压:25V 电流:79A
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- 描述
- 特性：针对高性能降压转换器（服务器、VGA）进行优化。 对于高频开关电源，具有非常低的FOMQoss。 对于高频开关电源，具有低FOMQsw。 出色的栅极电荷x RDS(on)乘积（FOM）。 在VGS = 4.5 V时具有非常低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ036NE2LSATMA1
- 商品编号
- C6135710
- 商品封装
- TSDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.33克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 79A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V,79A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@12V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.596nF@12V | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF@12V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 针对高性能降压转换器（服务器、VGA）进行优化
- 用于高频开关电源时，具备极低的 FOMQoss
- 用于高频开关电源时，具备低 FOMQsw
- 栅极电荷与漏源导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）表现出色
- 栅源电压（VGS）为 4.5 V 时，漏源导通电阻（RDS(on)）极低
- 经过 100% 雪崩测试
- 热阻性能优越
- N 沟道
- 针对目标应用通过 JEDEC 认证
- 引脚无铅电镀；符合 RoHS 标准
- 根据 IEC61249 - 2 - 21 标准无卤
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