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BSC028N06NSATMA1
1个N沟道 耐压:60V 电流:132A
- 描述
- 特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC028N06NSATMA1
- 商品编号
- C6135384
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19322克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 132A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.375nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的标准电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品已根据相应的AEC标准进行设计和鉴定，适用于汽车关键应用。
商品特性
- 符合AEC Q101标准
- 低导通电阻，传导损耗低
- 适用于标准电平栅极驱动源
- 额定温度达175°C，适用于对散热要求高的环境
应用领域
- 12 V和24 V负载
- 汽车及通用电源开关
- 电机、灯具和螺线管