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BSC022N04LSATMA1
1个N沟道 耐压:40V 电流:134A
- 描述
- 特性：针对高性能开关模式电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 在VDS为4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 经过100%雪崩测试。 出色的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC022N04LSATMA1
- 商品编号
- C6135380
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 134A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@4.5V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.64nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流器（sync. rec.）
- 经过100%雪崩测试
- 卓越的热阻性能
- N沟道
- 按照JEDEC标准针对目标应用进行认证
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤