ACNV4506-500E

ACNV4506器件包含一个GaAsP LED，该LED与一个集成的高增益光电探测器光耦合。器件之间的传播延迟差异极小，使得这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的优秀解决方案。文档给出了典型IPM应用的规格和性能曲线。

• 针对常见IPM应用在工业温度范围内的性能进行了规定。
• 最大传播延迟短。
• 脉冲宽度失真（PWD）最小化。
• 共模抑制比（CMR）非常高。
• 电流传输比（CTR）高。
• 提供宽体DIP10和鸥翼封装，爬电距离和电气间隙为13.0mm。
• 安全认证（待批准）：
  • 根据UL1577标准，1分钟耐压7500Vrms，获UL认可。
  • 获CSA批准。
  • 根据IEC/EN/DIN EN 60747 - 5 - 2标准，VIORM = 2262Vpeak，获批准。

• IPM隔离
• 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动
• 交流和无刷直流电机驱动
• 工业逆变器