DG419DY-T1-E3
精密CMOS模拟开关
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- 描述
- 单CMOS 模拟开关逻辑芯片
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- DG419DY-T1-E3
- 商品编号
- C6581
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 模拟开关/多路复用器 | |
| 开关电路 | 2:1 | |
| 通道数 | 1 | |
| 工作电压 | -15V~15V | |
| 导通时间(ton) | 100ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(Ron) | 20Ω | |
| 关闭时间(toff) | 60ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 导通电容(Con) | 35pF |
商品概述
DG417/418/419 单芯片 CMOS 模拟开关旨在为模拟信号提供高性能切换。结合低功耗、低泄漏、高速、低导通电阻和小物理尺寸,DG417 系列非常适合需要高性能和有效利用电路板空间的便携式和电池供电的工业应用。为实现高电压额定值和卓越的开关性能,DG417 系列采用 Vishay Siliconix 的高压硅栅 (HVSG) 工艺制造。对于 DG419(一种 SPDT 配置),保证先断后通。外延层可防止闩锁。每个开关导通时双向导通性能相同,关断时可阻断至电源电平。DG417 和 DG418 对相反的控制逻辑电平做出响应。
商品特性
- ±15 V 模拟信号范围
- 导通电阻 - rDS(on):20 Ω
- 快速开关动作 - tON:100 ns
- 超低功耗要求 - PD:35 nW
- TTL 和 CMOS 兼容
- MiniDIP 和 SOIC 封装
- 44 V 电源最大额定值
应用领域
- 精密测试设备
- 精密仪器
- 电池供电系统
- 采样保持电路
- 硬盘驱动器
- 开关信号为模拟开关供电
- 微功率 UPS 转换开关
- 可编程增益放大器
- GaAs FET 驱动器
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个2500个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交99单
