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BTN7971BAUMA1
高电流PN半桥 停产
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- 描述
- BTN7971B 是一款用于电机驱动应用的集成式大电流半桥芯片。它属于 NovalithIC™ 系列产品，在单个封装内集成了一个 p 沟道高端 MOSFET、一个 n 沟道低端 MOSFET 以及一个驱动 IC。由于采用了 p 沟道高端开关，无需使用电荷泵，从而将电磁干扰（EMI）降至最低
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BTN7971BAUMA1
- 商品编号
- C69297
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 工作电压 | 8V~18V | |
| 上升时间(tr) | 600ns | |
| 下降时间(tf) | 650ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过流保护(OCP)；短路保护(SCP)；过压保护(OVP)；过热保护(OPT) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.75V~2.15V | |
| 输入低电平(VIL) | 1.1V~1.4V | |
| 静态电流(Iq) | 7uA |
商品概述
BTN7971B是一款用于电机驱动应用的集成大电流半桥芯片。它在一个封装内集成了一个p沟道高端MOSFET、一个n沟道低端MOSFET和一个驱动IC。由于采用了p沟道高端开关，无需电荷泵，从而将电磁干扰（EMI）降至最低。集成的驱动IC具备逻辑电平输入、带电流检测的诊断功能、压摆率调整、死区时间生成以及过温、过压、欠压、过流和短路保护等特性，方便与微控制器连接。 BTN7971B为受保护的大电流PWM电机驱动器提供了一种成本优化的解决方案，且电路板占用空间极小。
商品特性
- 最大导通电阻30.5 mΩ（150 ℃时，典型值为16 mΩ @ 25 ℃）；高端：最大12.8 mΩ（150 ℃时，典型值为7 mΩ @ 25 ℃）
- 低端：最大17.7 mΩ（150 ℃时，典型值为9 mΩ @ 25 ℃）
- 典型静态电流7 μA（25 ℃时）
- 高达25 kHz的PWM能力，结合有源续流功能
- 提高开关速度，降低开关损耗
- 开关模式电流限制功能，降低过流时的功耗
- 电流限制水平：最小值50 A / 典型值70 A（低端）
- 带电流检测功能的状态标志诊断
- 具有锁存特性的过温关断功能
- 过压锁定
- 欠压关断
- 带逻辑电平输入的驱动电路
- 可调节压摆率，优化电磁干扰
- 绿色产品（符合RoHS标准）
- 通过AEC认证
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