STB80NF03L-04T4
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- N沟道30V - 0.0035Ohm - 80A - D2PAK STripFET (TM) II功率MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB80NF03L-04T4
- 商品编号
- C672244
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V,40A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@24V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 290pF@25V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
这款功率MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新研发成果。由此制成的晶体管展现出极高的封装密度,具备低导通电阻、坚固的雪崩特性,且对准步骤要求较低,因此具有出色的制造可重复性。
商品特性
- 卓越的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 低阈值驱动
应用领域
- 开关应用
