商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 128Kbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 35ns | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 功能特性 | 自动掉电功能；内置写抑制功能 |
商品概述
IDT7006是一款高速16K x 8双端口静态随机存取存储器（SRAM）。它既可以作为独立的128K位双端口RAM使用，也可以作为组合的主/从双端口RAM用于16位或更高位数的字系统。在16位或更宽的内存系统应用中采用IDT主/从双端口RAM方法，可实现全速、无错误操作，无需额外的分立逻辑。
该器件提供两个独立端口，具有独立的控制、地址和输入/输出（I/O）引脚，允许对内存中的任何位置进行独立、异步的读写访问。由片选信号（CE上划线）控制的自动掉电功能，可使每个端口的片上电路进入极低的待机功耗模式。
这些器件采用CMOS高性能技术制造，典型功耗仅为750mW。低功耗（L）版本支持电池备份数据保留功能，使用2V电池时典型功耗为500μW。
IDT7006采用68引脚陶瓷针栅阵列（PGA）、68引脚四方扁平封装、塑料无引线芯片载体（PLCC）和64引脚薄型四方扁平封装（TQFP）。产品按照最新版本的MIL - PRF - 38535 QML B类标准制造，非常适合对性能和可靠性要求极高的应用。
商品特性
- 真正的双端口存储单元，允许同时读取同一内存位置，具备高速访问能力
- 商业级：最大访问时间为15/17/20/25/35/55ns
- 工业级：最大访问时间为20ns
- 低功耗运行
- IDT7006S：工作状态典型功耗750mW，待机状态典型功耗5mW
- IDT7006L：工作状态典型功耗700mW，待机状态典型功耗1mW
- 当级联多个器件时，使用主/从选择功能，IDT7006可轻松将数据总线宽度扩展到16位或更多
- M/S（上划线）= H时，主设备提供BUSY（上划线）输出标志；M/S（上划线）= L时，从设备将BUSY（上划线）作为输入
- 具备忙标志和中断标志，片上端口仲裁逻辑
- 片上提供完整的硬件支持，用于端口间的信号量通信
- 两个端口均可完全异步操作
- 器件能够承受大于2001V的静电放电
- 支持电池备份操作 —— 2V数据保留
- TTL兼容，单5V（±10%）电源供电
- 提供68引脚PGA、四方扁平封装、PLCC和64引脚TQFP封装
- 部分速度型号提供工业温度范围（-40°C ~ +85°C）产品
- 提供绿色环保产品，具体请参考订购信息
相似推荐
其他推荐