IXFX27N80Q
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 配置 | - |
商品特性
- IXYS先进低Qq工艺
- 低栅极电荷和电容
- 更易于驱动
- 更快的开关速度
- 国际标准封装
- 低导通电阻RDS(on)
- 额定用于非钳位电感负载开关 (UIS)
- 模塑环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
应用领域
- DC-DC转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-直流斩波器-交流电机控制-温度和照明控制