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IXFZ140N25T实物图
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IXFZ140N25T

IXFZ140N25T

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商品型号
IXFZ140N25T
商品编号
C6069309
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))17mΩ@10V
耗散功率(Pd)445W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)255nC@10V
输入电容(Ciss)19nF
反向传输电容(Crss)185pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 硅芯片置于直接覆铜陶瓷基板(DCB)上
  • 隔离基板
  • 出色的热传递性能
  • 增强的温度和功率循环能力
  • 高隔离电压(约2500V)
  • 极高的电流处理能力
  • 快速本征二极管
  • 雪崩额定
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 高功率密度

应用领域

  • DC-DC转换器
  • 电池充电器
  • 开关模式和谐振模式电源
  • 直流斩波器
  • 交流电机驱动器
  • 不间断电源
  • 高速功率开关应用

数据手册PDF