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IXFN120N65X2实物图
  • IXFN120N65X2商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFN120N65X2

IXFN120N65X2

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商品型号
IXFN120N65X2
商品编号
C6069247
商品封装
SOT-227B​
包装方式
管装
商品毛重
43.536克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)108A
导通电阻(RDS(on))24mΩ@10V,60A
耗散功率(Pd)890W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)240nC@10V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)5.5pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 国际标准封装
  • 低导通电阻(RDS(on))的HDMOSTM工艺
  • 坚固的多晶硅栅单元结构
  • 具备非钳位电感开关(UIS)额定值
  • 低封装电感
  • 易于驱动和保护
  • 快速本征整流器

应用领域

  • 直流-直流转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-直流斩波器-交流电机控制-温度和照明控制

数据手册PDF