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IXFH10N100P实物图
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IXFH10N100P

IXFH10N100P

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商品型号
IXFH10N100P
商品编号
C6069194
商品封装
TO-247AD​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1kV
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))1.4Ω@10V
耗散功率(Pd)380W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)56nC@10V
输入电容(Ciss)3.03nF
反向传输电容(Crss)34pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

该系列低电荷功率MOSFET的栅极电荷明显低于传统功率MOSFET。采用新型LCDMOS(低电荷器件功率MOSFET)技术,在不增加产品成本的情况下实现了器件性能的提升,从而降低了栅极驱动要求并节省了系统总成本。此外,在各种高频应用中可降低开关损耗并提高效率。使用新型低电荷功率MOSFET可在大电流条件下实现数MHz的频率。

这些器件的改进与功率MOSFET所具有的经证实的坚固性和可靠性相结合,为设计人员提供了一种适用于开关应用的新型功率晶体管标准。

商品特性

  • 国际标准封装
  • 快速恢复二极管
  • 雪崩额定
  • 低封装电感
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 高功率密度

应用领域

  • 开关模式和谐振模式电源
  • DC-DC 转换器
  • 激光驱动器
  • 交流和直流电机驱动器
  • 机器人技术和伺服控制

数据手册PDF