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IXFH20N60引脚图
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IXFH20N60

IXFH20N60

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商品型号
IXFH20N60
商品编号
C6069202
商品封装
TO-247AD​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))350mΩ@10V
耗散功率(Pd)300W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)151nC
输入电容(Ciss)4.5nF
反向传输电容(Crss)140pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)420pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 国际标准封装
  • 低RDS(ON)HDMOSTTM 工艺
  • 耐用的多晶硅栅单元结构
  • 具备非钳位电感开关 (UIS) 额定值
  • 低封装电感
  • 易于驱动和保护
  • 快速本征整流器

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 同步整流
  • 电池充电器
  • 开关模式和谐振模式电源
  • 直流斩波器
  • 交流电机控制
  • 温度和照明控制
  • 低压继电器

数据手册PDF