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CEB14A04
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V,70A | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 143nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.39nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 40V、180A，在VGS = 10V时，RDS(ON) = 5 mΩ。
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。
- 高功率和电流处理能力。
- 无铅电镀；符合RoHS标准。
- TO - 220和TO - 263封装。