温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CEP100N10L
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 92A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 3.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 100V、92A，VGS = 10V 时，RDS(ON) = 8.2 mΩ
- VGS = 4.5V 时，RDS(ON) = 10.5 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的 RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- 符合 RoHS 标准
- TO - 220 和 TO - 263 封装