温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V,5.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 80 mΩ
- -30V、-5.9A，在VGS = -10V时，RDS(ON) = 45 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- 符合RoHS标准
- 表面贴装封装