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CEF12N65
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 730mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.745nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 超高密度单元设计，实现极低的导通电阻RDS(ON)。
- 具备高功率和高电流处理能力。
- 符合RoHS标准。