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ISC022N10NM6ATMA1
1个N沟道 耐压:100V 电流:230A
- 描述
- 特性：N沟道，正常电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低的反向恢复电荷(Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175℃工作温度。 针对高频开关和同步整流进行了优化。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 根据J-STD-020标准为MSL 1级分类
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISC022N10NM6ATMA1
- 商品编号
- C6061656
- 商品封装
- TSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.67克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 230A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.24mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 254W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 91nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.88nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个1个/圆盘
总价金额：
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