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IPW80R280P7XKSA1
1个N沟道 耐压:800V 电流:17A
- 描述
- 800V CoolMOS P7系列在800V超结技术中树立了新标杆，将一流性能与先进的易用性相结合，源于英飞凌18年多的超结技术创新。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPW80R280P7XKSA1
- 商品编号
- C6062377
- 商品封装
- TO-247-3-41
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.77克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 101W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 DPAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本（IRLU、SiHLU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5 W。
商品特性
- 一流的品质因数RDS(on) * Eoss;降低Qg、Ciss和Coss
- 一流的DPAK RDS(on)
- 一流的V(GS)th为3V,最小的V(GS)th变化为±0.5V
- 集成齐纳二极管ESD保护
- 完全符合JEDEC工业应用标准
- 完全优化的产品组合
应用领域
- 用于LED照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激式拓扑
- 消费类应用和太阳能中的PFC级