IPT65R155CFD7XTMA1
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 155mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 122W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.291nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 549pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- 分裂栅沟槽MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 高密度单元设计，实现低 RDS(on)
商品特性
- 超快体二极管
- 650 V击穿电压
- 同类最佳的RDS(on)
- 降低开关损耗
- RDS(on)随温度变化小
应用领域
- 针对移相全桥(ZVS)、LLC应用进行优化 - 服务器、电信、电动汽车充电、太阳能
相似推荐
其他推荐