温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPN70R360P7SATMA1
1个N沟道 耐压:700V 电流:7.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- CoolMOS是一项应用于高压功率MOSFET的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个经过优化的平台，专门针对消费市场中对成本敏感的应用，如充电器、适配器、照明、电视等。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势，同时拥有出色的性价比和一流的易用性
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPN70R360P7SATMA1
- 商品编号
- C6062267
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 7.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 517pF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@400V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX - 4的芯片尺寸。它在任何现有的表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK（TO - 263）适用于大电流应用，并且在典型的表面贴装应用中可散热高达2.0 W。
商品特性
~~- 表面贴装-提供卷带包装-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定-快速开关-易于并联-驱动要求简单