- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2SD2672TL
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 4A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 12V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 270 | |
| 特征频率(fT) | 250MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV | |
| 工作温度 | - | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 1个NPN | |
| 配置 | 独立式 |
商品特性
- 集电极电流大（4A）。
- 当IC = 2 A、IB = 40 mA时，VCE(sat) ≤ 250 mV
- 互补PNP型：2SB1707
应用领域
- 低频放大器