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2SJ687-ZK-E1-AY
1个P沟道 耐压:20V 电流:20A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SJ687-ZK-E1-AY
- 商品编号
- C6054291
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.45V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@16V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 760pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 适用于DC/DC转换器应用。
- 采用复合类型，在一个封装内集成了P沟道硅MOSFET（MCH3312）和肖特基势垒二极管（SBS010M），便于高密度安装。
- 4V驱动。
- 反向恢复时间短。
- 正向电压低。
应用领域
- 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。