2SJ673-AZ
1个P沟道 耐压:60V 电流:36A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SJ673-AZ
- 商品编号
- C6054287
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W；32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 87nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.6nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代N沟道增强型MOSFET旨在将导通电阻RDS(ON)降至最低，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
商品特性
- 额定温度可达+175°C，适用于高温环境
- 100%非钳位电感开关，确保终端应用更可靠、更耐用
- 散热高效的封装，应用运行时温度更低
- 高转换效率
- 低导通电阻RDS(ON)，可将导通状态损耗降至最低
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 封装高度小于1.1mm，适用于轻薄应用
- 无铅涂层，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
- 该产品符合JEDEC标准（如AEC - Q中所引用），具有高可靠性
- 符合汽车应用标准的产品可参考单独的数据手册（DMNH6008SPSQ）
应用领域
- 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试与测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备以及工业机器人。
- 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。
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