- 引脚图
- 焊盘图
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2SJ197-T1-AZ
2SJ197-T1-AZ
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SJ197-T1-AZ
- 商品编号
- C6054283
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.138克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 输入电容(Ciss) | 220pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF | |
| 栅极电压(Vgs) | 20V |
商品特性
- 导通电阻RDS(on)典型值为0.089Ω（漏极电流ID = 8.5A，栅源电压VGS = 10V，环境温度Ta = 25°C时）
- 低导通电阻
- 低漏电流
- 高速开关
应用领域
- “标准级”:计算机;办公设备;通信设备;测试与测量设备;视听设备;家用电子电器;机床;个人电子设备;工业机器人
- “高等级”:运输设备(汽车、火车、轮船等);交通控制系统;防灾系统;防盗系统;安全设备;非专门用于生命维持的医疗设备