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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 5.5A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 200 | |
| 特征频率(fT) | 152MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 20nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 185mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 集电极 - 发射极击穿电压（BVCEO）> -40 V
- 集电极连续电流（IC） = -5.5 A（高连续电流）
- 集电极脉冲峰值电流（ICM） = -15 A
- 集电极 - 发射极饱和电阻（RCE(sat)） = 29 mΩ（低等效导通电阻）
- 低饱和电压：在集电极电流为 -1 A 时，集电极 - 发射极饱和电压（VCE(sat)）< -60 mV
- 直流电流放大系数（hFE）在集电极电流高达 -10 A 时仍有明确规定，以保持高电流增益
- 完全无铅，完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
应用领域
- 充电电路
- DC-DC 转换器
- MOSFET和IGBT 栅极驱动
- 功率开关
- 电机控制
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