HMC8191LC4TR-R5
6 GHz至26.5 GHz、宽带I/Q混频器
- 描述
- 被动式宽带I/Q混频器,具有出色的LO到RF和LO到IF隔离,减少了LO泄漏的影响,确保信号完整性。
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- HMC8191LC4TR-R5
- 商品编号
- C662361
- 商品封装
- QFN-24-EP(4X4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.246克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF混频器 | |
| 增益/损耗 | 9dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 噪声系数 | 9dB | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
HMC8191是一款无源宽带I/Q单片微波集成电路(MMIC)混频器,可用于接收机操作中的镜像抑制混频器或发射机操作中的单边带上变频器。其射频(RF)和本振(LO)频率范围为6 GHz至26.5 GHz,中频(IF)带宽为直流至5 GHz,因此HMC8191非常适合需要宽频率范围、优异的RF性能以及更少组件和较小印刷电路板(PCB)尺寸的简单设计应用。一个HMC8191可以替代设计中的多个窄带混频器。
HMC8191固有的I/Q架构提供了出色的镜像抑制,从而消除了对不需要的边带进行昂贵滤波的需求。该混频器还提供了优异的LO到RF和LO到IF隔离,并减少了LO泄漏的影响以确保信号完整性。
作为一款无源混频器,HMC8191不需要任何直流电源。与有源混频器相比,它具有更低的噪声系数,确保了高性能和高精度应用所需的优越动态范围。
HMC8191采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造,并使用Analog Devices, Inc.的混频器单元和90度混合器。HMC8191采用紧凑的4 mm x 4 mm、24端子无引脚芯片载体(LCC)封装,工作温度范围为-40°C至+85°C。Analog Devices网站上还提供了HMC8191的评估板。
应用领域
- 测试和测量仪器仪表
- 微波点对点基站
优惠活动
购买数量
(500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个500个/圆盘
总价金额:
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