HMC908ALC5TR

这是一款紧凑型砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC）同相/正交（I/Q）下变频器，采用无铅、符合RoHS标准的陶瓷无引脚芯片载体封装。该器件在100 MHz时可提供11 dB的小信号转换增益、2 dB的噪声系数和25 dB的镜像抑制。它采用低噪声放大器（LNA），其后是由本地振荡器（LO）缓冲放大器驱动的镜像抑制混频器。镜像抑制混频器无需在LNA后使用滤波器，并能消除镜像频率处的热噪声。提供I和Q混频器输出，需要一个外部90°混合器来选择所需边带。与混合式镜像抑制混频器下变频器组件相比，它体积小得多，并且允许使用表面贴装制造技术，无需进行引线键合。

• 转换增益：在|F₀UT = 1000 MHz时为11 dB（典型值）
• 镜像抑制：在IFour = 100 MHz时为25 dB（典型值）
• LO到RF隔离度：46 dB（典型值）
• LO到IF隔离度：26 dB（典型值）
• IF输出频率：直流至3.5 GHz
• 32引脚、4.9 mm × 4.9 mm陶瓷无引脚芯片载体

• 点对点无线电
• 点对多点无线电和甚小口径终端（VSAT）
• 测试设备和传感器