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HMC521ALC4TR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HMC521ALC4TR

GaAs MMIC I/Q混频器8.5 - 13.5 GHz

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描述
HMC521ALC4 是一款紧凑型砷化镓 (GaAs) 混频器,采用 GaAs 金属半导体场效应晶体管 (MESFET) 工艺制造。该设备可作为图像抑制混频器或单边带上变频器使用。
品牌名称
ADI(亚德诺)
商品型号
HMC521ALC4TR
商品编号
C662355
商品封装
QFN-24-EP(3.9x3.9)​
包装方式
编带
商品毛重
1.8克(g)

商品参数

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参数完善中

商品概述

HMC521ALC4是一款紧凑型砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)同相正交(I/Q)混频器,采用符合RoHS标准的24引脚陶瓷无引脚芯片载体(LCC)封装。该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该混频器采用两个标准双平衡混频单元和一个90°混合耦合器,采用GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造。与混合式镜像抑制混频器和单边带上变频器组件相比,该器件体积更小。HMC521ALC4无需引线键合,可采用表面贴装制造技术。

商品特性

  • 下变频器,8.5 GHz至13.5 GHz
  • 典型转换损耗:9 dB
  • 典型镜像抑制:27.5 dBc
  • 典型本振(LO)至射频(RF)隔离度:39 dB
  • 典型输入三阶交调截点(IP3):16 dBm
  • 宽中频(IF)带宽:直流至3.5 GHz
  • 3.9 mm×3.9 mm 24引脚LCC封装:16 mm²

应用领域

  • 微波和甚小口径终端(VSAT)无线电
  • 测试设备

数据手册PDF

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(100个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个100个/圆盘

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