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HMC815BLC5TR

GaAs MMIC I/Q上变频器，21 - 27 GHz

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描述: HMC815B是一款紧凑型砷化镓（GaAs）假晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）单片微波集成电路（MMIC）上变频器，工作频率范围为21 GHz至27 GHz。该设备提供12 dB的小信号转换增益和20 dBc的边带抑制。HMC815B采用4.90 mm × 4.90 mm、32引脚陶瓷LCC封装，工作温度范围为-40°C至+85°C。
品牌名称: ADI(亚德诺)
商品型号: HMC815BLC5TR
商品编号: C662351
商品封装: LCC-32(4.9x4.9)
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品概述

HMC815B是一款紧凑型砷化镓（GaAs）、赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）、单片微波集成电路（MMIC）上变频器，采用符合RoHS标准的封装，工作频率范围为21 GHz至27 GHz。该器件提供12 dB的小信号转换增益和20 dBc的边带抑制。HMC815B采用一个驱动放大器，前面是一个同相/正交（I/Q）混频器，其中本振（LO）由一个有源2倍频器驱动。提供IF1和IF2混频器输入，需要一个外部90°混合器来选择所需的边带。I/Q混频器拓扑结构减少了对无用边带滤波的需求。

HMC815B是混合式单边带（SSB）下变频器组件的小型替代方案，它允许使用表面贴装制造技术，从而无需进行引线键合。

HMC815B采用4.90 mm×4.90 mm、32引脚陶瓷LCC封装，工作温度范围为-40℃至+85℃。如需，还可提供HMC815B的评估板。

商品特性

转换增益：典型值12 dB
边带抑制：典型值20 dBc
OP1dB压缩点：典型值20 dBm
OIP3：典型值27 dBm
2×LO到RF隔离度：典型值10 dB
2×LO到IF隔离度：典型值15 dB
RF回波损耗：典型值12 dB
LO回波损耗：典型值15 dB
IF回波损耗：典型值15 dB
外露焊盘，4.90 mm×4.90 mm，32引脚，陶瓷LCC

应用领域

点对点和点对多点无线电
卫星通信
传感器

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	属性	参数值
	商品目录	RF混频器
	增益/损耗	12dB

	属性	参数值
	工作电压	5.5V
	工作电流	270mA