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ADR434TRZ-EP
超低噪声、4.096V XFET®基准电压源，具有吸电流和源电流能力
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- 描述
- 电压参考具有低噪声、高精度和低温漂性能。采用温度漂移曲率校正和XFET技术，使电压随温度的非线性变化最小化。与埋入式齐纳基准相比，以更低的电流（800μA）和更低的电源电压裕量（2V）工作。具有输出高达+10mA电流和吸收高达-10mA电流的能力，还带有一个微调端子，可在0.5%的范围内调节输出电压而不影响性能。采用8引脚窄体SOIC封装，工作温度范围为-55°C至 + 125°C。
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- ADR434TRZ-EP
- 商品编号
- C659560
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 电压基准芯片 | |
| 输出类型 | 固定 | |
| 工作电压 | 6.1V~18V | |
| 输出电压 | 4.096V | |
| 输出电流 | 10mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 精度 | ±0.04% | |
| 温度系数 | 3ppm/℃ | |
| 电压基准类型 | 串联 | |
| 静态电流(Iq) | 800uA | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃@(Ta) |
应用领域
- 精密数据采集系统
- 高分辨率数据转换器
- 光控电路
- 精密仪器