ADR441TRZ-EP-R7
超低噪声、2.5V LDO XFET® 基准电压源，具有吸电流和源电流能力
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- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- ADR441TRZ-EP-R7
- 商品编号
- C659568
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.178克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 电压基准芯片 | |
| 输出类型 | 固定 | |
| 工作电压 | 3V~18V | |
| 输出电压 | 2.5V | |
| 输出电流 | 10mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 精度 | ±0.04% | |
| 温度系数 | 5ppm/℃ | |
| 电压基准类型 | 串联 | |
| 静态电流(Iq) | 3.75mA | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ |
商品概述
ADR441-EP1是一款XFET电压基准源，具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。通过采用温度漂移曲率校正和额外注入结型场效应晶体管（XFET）技术，ADR441-EP的电压随温度变化的非线性得到了极大的改善。 与掩埋齐纳基准源相比，XFET基准源具有更好的噪声性能，并且可以在低电源电压裕量（500 mV）下工作。这些特性的结合使ADR441-EP非常适合高端数据采集系统中的精密信号转换应用。 ADR441-EP能够提供高达+10 mA的输出电流，并吸收高达 -5 mA的电流。该器件还配备了一个微调端子，可在不影响性能的情况下将输出电压调节范围控制在0.5%以内。 ADR441-EP采用8引脚窄体SOIC封装。其工作温度范围为 -55°C至 +125°C。
商品特性
- 超低电压噪声（0.1 Hz至10 Hz）：1.2 µV峰峰值
- 出色的温度漂移：5 ppm/°C
- 低压差工作（电源电压裕量）：500 mV
- 电源电压工作范围：3 V至18 V
- 高输出源电流和灌电流分别为±10 mA和 -5 mA
- 支持相关应用（AQEC标准）
- 温度范围（ -55°C至 +125°C）
- 受控的制造基线
- 1个组装/测试地点
- 1个制造地点
- 产品变更通知
- 可应要求提供鉴定数据
应用领域
- 精密数据采集系统
- 高分辨率数据转换器
- 电池供电仪器
- 精密仪器