SSM3J371R,LXHF
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3J371R,LXHF
- 商品编号
- C5908541
- 商品封装
- SOT-23F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF |
商品概述
SD2931是一款采用镀金工艺的N沟道MOS场效应射频功率晶体管，适用于最高230 MHz的50V直流大信号应用。
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 1.5 V 栅极驱动电压
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 150 mΩ(最大值)(@ VGS = -1.5 V)
- RDS(ON) = 100 mΩ(最大值)(@ VGS = -1.8 V)
- RDS(ON) = 75 mΩ(最大值)(@ VGS = -2.5 V)
- RDS(ON) = 55 mΩ(最大值)(@ VGS = -4.5 V)
应用领域
-电源管理开关