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SSM3K116TU,LF
1个N沟道 耐压:30V 电流:2.2A
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- 描述
- 特性：高速开关应用。 2.5V驱动低导通电阻：Ron = 135mΩ (最大值) (VGS = 2.5V)；Ron = 100mΩ (最大值) (VGS = 4.5V)
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3K116TU,LF
- 商品编号
- C5908547
- 商品封装
- SMD-3P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.059克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V,500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 输入电容(Ciss) | 245pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 41pF |
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 4 V栅极驱动电压
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 400 mΩ（最大值）（@VGS = -4.0 V）；RDS(ON) = 300 mΩ（最大值）（@VGS = -10 V）
应用领域
- 电源管理开关