- 引脚图
- 焊盘图
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SSM6K809R,LXHF
SSM6K809R,LXHF
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6K809R,LXHF
- 商品编号
- C5908568
- 商品封装
- TSOP-6-F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0685克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这些器件为采用第六代STripFET™ DeepGATE™技术开发的N沟道功率MOSFET，具备全新的栅极结构。由此制成的功率MOSFET在所有封装中均呈现出最低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
- 符合 AEC-Q101 标准
- 175°C MOSFET
- 4.0 V 驱动
- 低漏源导通电阻:
- RDS(ON) = 28 mΩ(典型值)(@ VGS = 10 V)
- RDS(ON) = 36 mΩ(典型值)(@ VGS = 4.5 V)
- RDS(ON) = 43 mΩ(典型值)(@ VGS = 4 V)
应用领域
-电源管理开关-DC-DC 转换器
- SSW-108-02-G-T-RA-LL
- SSW-108-02-L-D
- SSP3A250BDR
- SSP3A250BDT
- SSW-108-02-T-T-RA
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- SSQ-101-02-G-D
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- SSW-108-22-F-D-VS-001
- SSQ-101-03-G-D-RA
- SSW-108-22-FM-D-VS-P-TR
- SSQ-101-04-G-D
- SSQ-101-04-S-S
- SSW-108-22-G-D-VS
- SSQ-101-23-S-S
- SSQ-102-01-L-S
- SSW-108-22-G-S-VS-P-TR
- SSQ-102-01-T-T
- SSW-108-22-G-S-VS-TR
- SSQ-102-02-F-Q