SSM6J212FE,LF
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6J212FE,LF
- 商品编号
- C5908558
- 商品封装
- SOT-563(SOT-666)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40.7mΩ@4.5V,3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 970pF@10V |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特殊设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- 15.7 A、60 V，栅源电压（VGS）= 10 V、漏极电流（ID）= 7.85 A时，漏源导通电阻（RDS(on)）= 55 mΩ（最大值）
- 低栅极电荷（典型值9.5 nC）
- 低反向传输电容（Crss）（典型值35 pF）
- 100%雪崩测试
- 最高结温额定值175°C
应用领域
-开关模式电源-音频放大器-直流电机控制-可变开关电源应用