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MIC5021YM
带电荷泵和过流限制的高速高端MOSFET驱动器
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- 描述
- 该高侧MOSFET驱动器设计用于在高达100 kHz的频率下运行（5 kHz PWM，占空比为2%至100%），是高速应用（如电机控制、开关模式电源以及使用IGBT的应用）的理想选择。该驱动器也可以作为断路器使用，支持自动重试或不支持自动重试。 输入的上升或下降沿会在栅极输出端产生电流源脉冲或灌电流脉冲。这个输出电流脉冲可以在大约550 ns内开启一个2000 pF的MOSFET
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MIC5021YM
- 商品编号
- C637556
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 高边 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 20uA | |
| 拉电流(IOH) | 20uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 12V~36V | |
| 上升时间(tr) | 400ns | |
| 下降时间(tf) | 550ns | |
| 特性 | 过流保护(OCP) | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃@(Ta) | |
| 静态电流(Iq) | 1.8mA |
商品概述
MIC5021高端MOSFET驱动器设计用于高达100 kHz的频率（占空比为2%至100%时PWM频率为5 kHz），是高速应用（如电机控制、开关模式电源（SMPS））以及使用IGBT的应用的理想选择。MIC5021还可作为带或不带自动重试功能的断路器使用。 输入的上升沿或下降沿会在栅极输出端产生电流源脉冲或灌电流脉冲。该输出电流脉冲可在约550 ns内导通一个2000 pF的MOSFET。必要时，MIC5021随后会提供有限电流（<2 mA）以维持输出状态。 具有50 mV跳变电压的过流比较器使MIC5021非常适合与电流感应MOSFET配合使用。也可使用外部低值电阻代替感应MOSFET，以实现更精确的过流控制。可在CT引脚与地之间连接一个可选的外部电容，将电流关断占空比（死区时间）控制在20%至<1%之间。通过在CT与VDD之间连接一个可选的上拉电阻，占空比可在20%至约75%之间调节。MIC502x系列的其他产品包括MIC5020低端驱动器和带有交叉导通互锁功能的MIC5022半桥驱动器。MIC5021提供8引脚SOIC和塑料DIP封装。
商品特性
- 12V至36V工作电压
- 驱动2000 pF负载时上升/下降时间为550 ns
- 带内部下拉电阻的TTL兼容输入
- 过流限制
- 栅源极保护
- 内部电荷泵
- 在全温度和工作电压范围内保证100 kHz工作频率
- 与电流感应MOSFET兼容
- 电流源驱动可降低EMI
应用领域
- 灯具控制
- 加热器控制
- 电机控制
- 电磁阀开关
- 开关模式电源
- 断路器