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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | - | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 2A | |
| 拉电流(IOH) | 2A | |
| 工作电压 | 4.5V~18V | |
| 上升时间(tr) | 12ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 15ns | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | - |
商品概述
MCP14E6/7/8器件是高速MOSFET驱动器，能够提供2.0A的峰值电流。双反相、双同相和互补输出可直接由TTL或CMOS（3V至18V）控制。这些器件还具有低直通电流、快速的上升/下降时间和传播延迟，使其非常适合高开关频率应用。 MCP14E6/7/8器件采用4.5V至18V单电源供电，能够轻松对1000pF的MOSFET栅极电容进行充电和放电。它们在导通和关断状态下都能提供足够低的阻抗，以确保MOSFET的预期状态不会受到影响，即使存在大的瞬变。 通过使用独立的使能功能，可以对MCP14E6/7/8的输出进行额外控制。ENB_A和ENB_B引脚为高电平有效，内部上拉至VDD。在标准操作中，这些引脚可以悬空。 MCP14E6/7/8双输出、2.0A驱动器系列提供表面贴装和通孔封装，工作温度范围为 -40℃至 +125℃。热增强型DFN封装的低热阻使其在驱动较大的容性或阻性负载时具有更高的功率耗散能力。 在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很高的抗闩锁能力。当接地引脚出现高达5V的噪声尖峰（任何极性）时，器件不会受损。按照JEDEC JESD78A标准进行测试时，器件具有完全的闩锁保护功能。所有引脚都具有高达4kV（HBM）或400V（MM）的静电放电（ESD）保护。
商品特性
- 高峰值输出电流：2.0A（典型值）
- 每个驱动器输出独立使能功能
- 宽输入电源电压工作范围：4.5V至18V
- 输出级低直通/交叉导通电流
- 高容性负载驱动能力：- tR：带1000pF负载时为12ns（典型值） - tF：带1000pF负载时为15ns（典型值）
- 短延迟时间：45ns（典型值）
- 低电源电流：- 逻辑“1”输入/使能时 – 1mA（典型值） - 逻辑“0”输入/使能时 – 300μA（典型值）
- 闩锁保护：通过JEDEC JESD78A标准
- 逻辑输入可承受高达5V的负摆幅
- 节省空间的封装：- 8引脚SOIC、PDIP、6x5 DFN
应用领域
- 开关模式电源
- 脉冲变压器驱动
- 线路驱动器
- 电机和螺线管驱动