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MCP14E10-E/P

带使能端的3.0A双路高速功率MOSFET驱动器

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描述: MCP14E9/10/11器件是高速MOSFET驱动器，能够提供3.0A的峰值电流。双反相、双同相和互补输出可直接由TTL或CMOS（3V至18V）控制。这些器件还具有低直通电流、近乎匹配的上升/下降时间和传播延迟等特性，使其非常适合高开关频率应用。MCP14E9/10/11器件采用4.5V至18V单电源供电，能够轻松对1800pF的MOSFET栅极电容进行充电和放电。它们在导通和关断状态下均提供足够低的阻抗，以确保即使存在大的瞬变，MOSFET的预期状态也不会受到影响。通过使用独立的使能功能，可以对MCP14E9/10/11的输出进行额外控制。ENB_A和ENB_B引脚为高电平有效，内部上拉至VDD。在标准操作中，这些引脚可以悬空。MCP14E9/10/11双输出3.0A驱动器系列提供表面贴装和通孔封装，工作温度范围为-40℃至+125℃。热增强型DFN封装的低热阻使其在驱动较大电容性或电阻性负载时具有更高的功率耗散能力。这些器件在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有很高的抗闩锁能力。当接地引脚出现高达5V的噪声尖峰（任何极性）时，器件不会受到损坏。按照JEDEC JESD78A标准进行测试时，器件具有完全的闩锁保护功能。所有引脚均具有高达4kV（HBM）或400V（MM）的静电放电（ESD）保护。
品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: MCP14E10-E/P
商品编号: C640315
商品封装: PDIP-8
包装方式: 管装
商品毛重: 1.6克(g)

商品参数

商品概述

MCP14E9/10/11器件是高速MOSFET驱动器，能够提供3.0A的峰值电流。双反相、双同相和互补输出可直接由TTL或CMOS（3V至18V）控制。这些器件还具有低直通电流、近乎匹配的上升/下降时间和传播延迟等特性，使其非常适合高开关频率应用。 MCP14E9/10/11器件采用4.5V至18V单电源供电，能够轻松对1800pF的MOSFET栅极电容进行充电和放电。它们在导通和关断状态下均提供足够低的阻抗，以确保即使存在大的瞬变，MOSFET的预期状态也不会受到影响。通过使用独立的使能功能，可以对MCP14E9/10/11的输出进行额外控制。ENB_A和ENB_B引脚为高电平有效，内部上拉至VDD。在标准操作中，这些引脚可以悬空。 MCP14E9/10/11双输出3.0A驱动器系列提供表面贴装和通孔封装，工作温度范围为-40℃至+125℃。热增强型DFN封装的低热阻使其在驱动较大电容性或电阻性负载时具有更高的功率耗散能力。这些器件在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有很高的抗闩锁能力。当接地引脚出现高达5V的噪声尖峰（任何极性）时，器件不会受到损坏。按照JEDEC JESD78A标准进行测试时，器件具有完全的闩锁保护功能。所有引脚均具有高达4kV（HBM）或400V（MM）的静电放电（ESD）保护。

商品特性

高峰值输出电流：3.0A（典型值）
每个驱动器输出具有独立使能功能
宽输入电源电压工作范围：4.5V至18V
输出级低直通/交叉导通电流
高容性负载驱动能力： - 1800pF负载下tR为14ns（典型值） - 1800pF负载下tF为17ns（典型值）
短延迟时间： - tD1为45ns（典型值） - tD2为45ns（典型值）
低电源电流： - 逻辑‘1’输入/使能时为1mA（典型值） - 逻辑‘0’输入/使能时为300μA（典型值）
闩锁保护：通过JEDEC JESD78A标准
逻辑输入可承受高达5V的负摆幅
节省空间的封装： - 8引脚SOIC、PDIP、6x5 DFN

应用领域

开关模式电源
脉冲变压器驱动
线路驱动器
电机和螺线管驱动

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	-
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	3A
	拉电流(IOH)	3A

	属性	参数值
	工作电压	4.5V~18V
	上升时间(tr)	25ns
	下降时间(tf)	17ns
	工作温度	-40℃~+150℃@(Tj)
	输入高电平(VIH)	2.4V
	输入低电平(VIL)	800mV