GS8160Z36DGT-250IV
GS8160Z36DGT-250IV
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- 品牌名称
- 广船国际技术
- 商品型号
- GS8160Z36DGT-250IV
- 商品编号
- C5720096
- 商品封装
- TQFP-100(14x20)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 9.6605克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
GS8160Z18/36DGT-xxxV是一款18Mbit同步静态SRAM。NBT SRAMs,如ZBT、NtRAM、NoBL或其他流水线读/双延迟写或流通过读/单延迟写SRAMs,通过消除在从读周期切换到写周期时需要插入取消选择周期的需求,允许利用所有可用总线带宽。由于它是同步设备,地址、数据输入和读/写控制输入在输入时钟的上升沿捕获。突发顺序控制(LBO)必须连接到电源轨以进行正确操作。异步输入包括睡眠模式使能(ZZ)和输出使能。输出使能可用于覆盖输出驱动器的同步控制,并在任何时候关闭RAM的输出驱动器。写周期内部自定时,并由时钟输入的上升沿启动。此功能消除了异步SRAM所需的复杂片外写脉冲生成,并简化了输入信号时序。GS8160Z18/36DGT-xxxV可由用户配置为在流水线或流通过模式下操作。作为流水线同步设备操作,意味着除了捕获输入信号的上升沿触发寄存器外,设备还包含一个上升沿触发的输出寄存器。对于读周期,流水线SRAM输出数据在访问周期期间由边沿触发输出寄存器临时存储,然后在下一个时钟上升沿释放到输出驱动器。
商品特性
- NBT(无总线转向)功能允许零等待读写读总线利用率;引脚兼容于流水线和流通过NtRAM™、NoBL™和ZBT™ SRAMs
- 1.8V或2.5V核心电源供应
- 1.8V或2.5V I/O电源供应
- 用户可配置的流水线和流通过模式
- LBO引脚用于线性或交错突发模式
- 引脚兼容于2Mb、4Mb、8Mb、36Mb、72Mb和144Mb器件
- 字节写操作(9位字节)
- 3个芯片使能信号,便于深度扩展
- ZZ引脚用于自动掉电
- 符合RoHS的100引脚TQFP封装可用
- GS816118DGD-333I
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- GS864236GB-250I
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- RC0805FR-7W3RL
- DW-09-19-G-D-825
- RC0805FR-7W43RL
- DW-09-20-G-D-866
- RC0805FR-7W576RL
- DW-09-20-T-D-750
- DW-07-09-T-S-510
- RC0805FR-7W750RL
- DW-10-07-F-D-236
- DW-07-10-F-S-560
- RC0805FR-7W82RL
- DW-10-07-G-S-200

