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GS8160Z36DGT-250IV引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

GS8160Z36DGT-250IV

GS8160Z36DGT-250IV

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品牌名称
广船国际技术
商品型号
GS8160Z36DGT-250IV
商品编号
C5720096
商品封装
TQFP-100(14x20)​
包装方式
托盘
商品毛重
9.6605克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
属性参数值
功能特性自动掉电功能

商品概述

GS8160Z18/36DGT-xxxV是一款18Mbit同步静态SRAM。NBT SRAMs,如ZBT、NtRAM、NoBL或其他流水线读/双延迟写或流通过读/单延迟写SRAMs,通过消除在从读周期切换到写周期时需要插入取消选择周期的需求,允许利用所有可用总线带宽。由于它是同步设备,地址、数据输入和读/写控制输入在输入时钟的上升沿捕获。突发顺序控制(LBO)必须连接到电源轨以进行正确操作。异步输入包括睡眠模式使能(ZZ)和输出使能。输出使能可用于覆盖输出驱动器的同步控制,并在任何时候关闭RAM的输出驱动器。写周期内部自定时,并由时钟输入的上升沿启动。此功能消除了异步SRAM所需的复杂片外写脉冲生成,并简化了输入信号时序。GS8160Z18/36DGT-xxxV可由用户配置为在流水线或流通过模式下操作。作为流水线同步设备操作,意味着除了捕获输入信号的上升沿触发寄存器外,设备还包含一个上升沿触发的输出寄存器。对于读周期,流水线SRAM输出数据在访问周期期间由边沿触发输出寄存器临时存储,然后在下一个时钟上升沿释放到输出驱动器。

商品特性

  • NBT(无总线转向)功能允许零等待读写读总线利用率;引脚兼容于流水线和流通过NtRAM™、NoBL™和ZBT™ SRAMs
  • 1.8V或2.5V核心电源供应
  • 1.8V或2.5V I/O电源供应
  • 用户可配置的流水线和流通过模式
  • LBO引脚用于线性或交错突发模式
  • 引脚兼容于2Mb、4Mb、8Mb、36Mb、72Mb和144Mb器件
  • 字节写操作(9位字节)
  • 3个芯片使能信号,便于深度扩展
  • ZZ引脚用于自动掉电
  • 符合RoHS的100引脚TQFP封装可用

数据手册PDF