GS8320Z18AGT-250I

GS8320Z18/36AGT 是一款36兆位同步静态SRAM。NBT SRAM，如ZBT、NtRAM、NoBL或其他流水线读/双延迟写或直通读/单延迟写SRAM，通过消除在从读周期切换到写周期时需要插入取消选择周期的需求，允许利用所有可用的总线带宽。由于它是同步设备，地址、数据输入和读/写控制输入在输入时钟的上升沿捕获。突发顺序控制（LBO）必须连接到电源轨以确保正确操作。异步输入包括睡眠模式使能（ZZ）和输出使能。输出使能可用于覆盖输出驱动器的同步控制，并在任何时候关闭RAM的输出驱动器。写周期内部自定时，并由时钟输入的上升沿启动。此功能消除了异步SRAM所需的复杂片外写脉冲生成，并简化了输入信号时序。GS8320Z18/36AGT 可由用户配置为在流水线模式或直通模式下操作。作为流水线同步设备操作，意味着除了捕获输入信号的上升沿触发寄存器外，该设备还包含一个上升沿触发的输出寄存器。对于读周期，流水线SRAM输出数据在访问周期期间由边沿触发的输出寄存器临时存储，然后在下一个时钟上升沿释放到输出驱动器。GS8320Z18/36AGT 采用高性能CMOS技术实现，并采用JEDEC标准的100引脚TQFP封装。

• NBT（无总线转向）功能允许零等待读写读总线利用率；完全引脚兼容于流水线和直通NtRAM、NoBL和ZBT SRAM。
• 2.5 V 或 3.3 V ±10% 核心电源供应。
• 2.5 V 或 3.3 V I/O 电源供应。
• 用户可配置的流水线和直通模式。
• 用于线性或交错突发模式的LBO引脚。
• 引脚兼容于2Mb、4Mb、8Mb和16Mb器件。
• 字节写操作（9位字节）。
• 3个芯片使能信号，便于深度扩展。
• 用于自动掉电的ZZ引脚。
• 符合RoHS的100引线TQFP封装可用。