PMV230ENEA,215
商品参数
参数完善中
商品概述
采用沟槽 MOSFET 技术的 P 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
商品特性
- 扩展温度范围 Tj = 175℃
- 沟槽 MOSFET 技术
- 极快的开关速度
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 高端负载开关
- 开关电路
参数完善中
采用沟槽 MOSFET 技术的 P 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。