PMV230ENEA,215
商品参数
参数完善中
商品概述
采用沟槽 MOSFET 技术的 P 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
商品特性
- 扩展温度范围 Tj = 175℃
- 沟槽 MOSFET 技术
- 极快的开关速度
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 高端负载开关
- 开关电路
- PMV28UNEA215
- FW-16-03-F-D-325-065-ES-A-P
- FW-30-04-G-D-570-140
- PL8708T
- FW-16-03-G-D-175-120
- FW-30-04-L-D-200-140
- PL8800NL
- PMV6-3R-L
- FW-16-03-G-D-236-080
- FW-30-05-F-D-355-157-A-TR
- PL8801NL
- FW-30-05-F-D-410-118
- FW-16-03-G-D-238-080
- FW-30-05-F-D-414-158
- PL8801T
- FW-16-03-G-D-248-120-P-TR
- FW-30-05-F-D-423-065
- FW-16-03-G-D-265-090-A
- FW-30-05-F-D-423-065-A
- PL8802T
- PN10-56RX-L

