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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PMV230ENEA,215
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 710mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC | |
| 输入电容(Ciss) | 549pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 24pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±25V |
商品概述
采用沟槽 MOSFET 技术的 P 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
商品特性
- 扩展温度范围 Tj = 175℃
- 沟槽 MOSFET 技术
- 极快的开关速度
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 高端负载开关
- 开关电路
- PMV28UNEA215
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