PXN018-30QLJ
1个N沟道 耐压:30V 电流:7.5A 电流:19.2A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PXN018-30QLJ
- 商品编号
- C5713681
- 商品封装
- MLPAK-33
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A；19.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 10.9W；1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 447pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、MLPAK33(SOT8002)表面贴装器件(SMD)塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管(FET)。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 沟槽MOSFET技术
- MLPAK33封装(占位面积3.3 x 3.3 mm)
应用领域
-直流-直流转换器-电池管理-低端负载开关-开关电路
其他推荐
- QMQF326T25-2.0A-53.000
- PXO7806-500-M-TR
- QMQF326T25-2.0A-62.000
- PXO7815-500-M-TR
- QMQF326T25-2.0A-70.656
- PXP7010/10P/CR/1315
- QMQF326T25-2.5B-10.080
- PXV1220S-4DBN2-T02
- QMQF326T25-2.5B-12.688656
- PXV1220S-5DBN2-T02
- QMQF326T25-2.5B-126.700
- PXV1220S-5DBN3-T02
- QMQF326T25-2.5B-14.400
- PXV1220S-9DBN6-T
- QMQF326T25-2.5B-16.000
- PY11
- QMQF326T25-2.5B-16.639
- PY1101F-TR
- QMQF326T25-2.5B-16.670
- QMQF326T25-2.5B-16.777216
- PYB15-Q24-D5