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PSMN7R5-30YLDX
1个N沟道 耐压:30V 电流:51A
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- 描述
- 逻辑电平栅极驱动 N 沟道增强型 MOSFET，采用 LFPAK56 封装。NextPowerS3 系列采用独特的 “SchottkyPlus” 技术，可实现高效率、低尖峰性能，通常与集成肖特基或类肖特基二极管的 MOSFET 相关，但不会出现高泄漏电流问题。NextPowerS3 特别适用于高开关频率的高效应用。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN7R5-30YLDX
- 商品编号
- C5710347
- 商品封装
- LFPAK56,Power-SO8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.113334克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 51A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 655pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 超低的QG、QGD和QOSS,可实现高系统效率,尤其是在较高开关频率下
- 具有软恢复功能的超快开关;s因子 > 1
- 低尖峰和振铃,适用于低EMI设计
- 独特的“肖特基增强(SchottkyPlus)”技术;在25°C时漏电流 < 1 μA,具备类肖特基性能
- 针对4.5 V栅极驱动进行优化
- 低寄生电感和电阻
- 采用高可靠性夹片键合和焊料芯片贴装的Power SO8封装;无胶水、无引线键合,可在175°C环境下工作
- 可进行波峰焊接;外露引脚便于进行最佳的目视焊接检查
应用领域
- 服务器和电信的板载直流-直流解决方案
- 电信应用中的次级侧同步整流
- 电压调节器模块(VRM)
- 负载点(POL)模块
- V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA和系统组件的电源供应
- 有刷和无刷电机控制
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