- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PMV28UNEA215
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.05W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 490pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽 MOSFET 技术的 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
商品特性
- 低阈值电压
- 极快速开关
- 沟槽 MOSFET 技术
- 静电放电 (ESD) 保护 >2 kV HBM
- 通过 AEC-Q101 认证
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 低端负载开关
- 开关电路
- FW-16-03-G-D-175-120
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- FW-30-05-F-D-423-065-A
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